【48812】晶体振动器基础知识-术语

  阻抗Z变为电阻元件时，两点之间的频率。在这两点上，相为0。其间频率较低的点称为共振频率。别的一个点称为振频率。

  下图所示的是由电阻、电感和电容组成的晶体谐振器的共振特性。R1在等效电路中称为等效串联电阻，是晶体谐振器的重要特性。

  让晶体谐振器具有负载共振频率的电容。在实践振动电路中，衔接晶体谐振器的实践电容是由外部负载电容、IC杂散和PCB等发生的。也可用下述公式进行核算:

  负载共振频率是晶体谐振器中负载电容串联的共振频率，这一频率比共振频率高。因为实践值与晶体谐振器规范中额外值之间的电容差，所以实践和额外振动频率间存在频差。

  上面的图显现了负载电容改变发生的负载共振频率 (fL) 偏移。此图中每个点的斜率便是拉敏性。拜见下面的图。在负载电容为6pF时，拉敏性是-17ppm/pF。(负载电容改变1pF时，频移为17ppm)。也可用下述公式进行核算:

  下图是在导纳平面坐标 (电导—电纳) 上制作的晶体谐振器共振特征。因为画成了圆形，因而称为导纳圆。在频率低于共振频率时，导纳接近原点。在频率添加时，导纳按顺时针方向画圆。

  即振动中止的裕量，这也是振动电路中最重要的术语。振动裕量取决于组成振动电路的元件 (晶体谐振器、MCU电容器以及电阻器) 。保持5倍或更大的振动裕量。更具体内容请重视本系列讲座第二讲。

  负阻是用阻抗表明的振动电路信号扩大才干。因为其效果与电阻相反，所以是负值。负阻较高值小阐明振动电路的扩大才干低。振动电路中的负阻取决于CMOS逆变器的特性、反应电阻、阻尼电阻和外部负载电容。

  驱动功率是指振动电路中晶体谐振器的功耗。它不只取决于晶体谐振器的等效串联电阻，还取决于组成振动电路的元件 (MCU、电容和电阻) 。在驱动功率超量时，频率—时刻功能会呈现不正常特性。在规划振动电路时，最好检查一下驱动功率。

  C-MOS是互补MOS，组成了相互衔接的p和n型MOSFET。鄙人图中起到逆变器 (逻辑逆变电路NOT) 的效果。

  在装有C-MOS逆变器或晶体管的扩大电路中，所谓的“振动电路”便是将输出衔接到输入，以便继续扩大反应。只要经过晶体谐振器反应才干挑选并扩大共振频率的信号。

  被广泛应用到军用及民用通讯电台，微波通讯设备，程控电话交换机，无线电归纳测试仪，BP机、移动电话发射台，高级频率计数

  也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（

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